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首页 > 供应产品 > HRT60N19D场效应管 N沟道HRM华瑞微MOS管
HRT60N19D场效应管 N沟道HRM华瑞微MOS管
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产品: 浏览次数:15HRT60N19D场效应管 N沟道HRM华瑞微MOS管 
品牌: 华瑞微
单价: 面议
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发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2022-07-08 10:14
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详细信息
品牌:华瑞微
型号:HRT60N19D
封装:TO252
批号:2022
漏源电压(Vdss):60
漏极电流(Id):50
漏源导通电阻(RDS On):14
栅源电压(Vgs):1
配置类型:N沟道
工作温度范围-50to175度
安装类型贴片
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